Флеш-память - разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объёму, скорости работы и низкому энергопотреблению, флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации.
SLC - ячейка с одним уровнем. Имеет высокую производительность, низкое потребление электроэнергии, наибольшую скорость записи и количество циклов Программирования/Стирания. Такой тип памяти обычно используется в серверах высокого уровня, поскольку стоимость SSD на их основе велика.
MLC - ячейка с несколькими уровнями. Обладает меньшей стоимостью, по сравнению с SLC, однако обладает меньшей выносливостью и меньшим количеством циклов Программирования/Стирания. Является хорошим решением для коммерческих и рабочих платформ - имеет хорошее соотношение цена/скорость работы.
TLC - ячейка с тремя уровнями. Обладает большей плотностью, но меньшей выносливостью, медленной скоростью чтения и записи и меньшим количеством циклов Программирования/Стирания по сравнению с SLC и MLC. До настоящего момента, память типа TLC использовалась в основном в flash-накопителях (флешках), однако совершенствование технологий производства делает возможным его использование и в стандартных SSD.
Технология компании Samsung 3D V-NAND позволяет размещать ячейки памяти вертикально, значительно расширяя объем памяти без удорожания производства.